삼성전자 3DSFET(적층 GAA) 개발

뉴스 발췌:

  삼성전자가 현재 연구 중인 3D GAA 구조는 '3DSFET'으로 불린다. •••현재 양산 중인 GAA는 하나의 트랜지스터를 옆으로 이어 붙이는 2차원(2D) 구조•••트랜지스터를 수직으로 적층하는 것•••보다 좁은 공간에 많은 트랜지스터를 집적•••마치 낸드 플래시 셀을 높은 단수로 쌓아 올려 성능을 끌어올리는 것과 같은 방식•••1나노 이하에서는 3D GAA 구조로의 전환이 이뤄진다는 것

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